檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "張勝良".ccommittee (精準) and year="101"
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隨者電子產業的進步,傳統型金氧半電晶體在微型化之後面臨一些可靠度問題,例如短通道效應、熱載子效應、汲極引起位障降低效應、閘極引起汲極漏電流效應。然而,在高度微型化的過程中,穿隧型場效電晶體可以提供較…
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本論文提出了一種新型橫向結構之絕緣閘極功率元件,其設計包含了傳統矽晶圓(bulk wafer)與絕緣層上覆矽晶圓(SOI wafer)兩種結構。模擬結果顯示,相較於傳統功率金屬氧化物半導體場效電晶體…
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自從光電積體電路被廣泛應用之後,就有許多波導材料被提出來,其中又以絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator, SOI)最常被使用,因為此種材料有著低成本、高效率、高品質等特性,且絕緣層…
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絕緣層上覆矽(Silicon-on-Insulator, SOI)是近年來廣泛應用在高速且低功耗電子元件,因為具有高折射率係數可大幅縮小元件體積,同時製作方式與互補式金屬氧化物半導體(Complem…